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    광응답도 개선을 위한 그래핀 플레이크-인듐주석산화물(ITO) 광검출기

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    https://www.riss.kr/link?id=T17267169

    • 저자
    • 발행사항

      구미 : 국립금오공과대학교 대학원, 2025

    • 학위논문사항
    • 발행연도

      2025

    • 작성언어

      한국어

    • 발행국(도시)

      경상북도

    • 형태사항

      ; 26 cm

    • 일반주기명

      지도교수: 송광섭

    • UCI식별코드

      I804:47006-000000017585

    • 소장기관
      • 국립금오공과대학교 도서관 소장기관정보

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    국문 초록 (Abstract) kakao i 다국어 번역

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    본 연구에서는 조사되는 광원의 세기가 증감함에 따라 전자-정공 쌍이 생성되고, 전자-정공 쌍의 움직임에 따라 발생하는 전류의 변화를 측정하여 광원의 세기를 검출 가능한 광검출기를 제작하였다. 활성 영역에 RF 스퍼터링을 사용하여 ITO를 증착하고, 생성된 ITO 박막 위에 그래핀 옥사이드(GO), 환원된 그래핀 옥사이드(rGO)를 도포한 단일 검출기와 GO와 rGO를 혼합한 검출기에 대하여 혼합비에 따른 특성을 평가하였다. 표면 분석을 통한 계면 균일도와 적층 구조를 분석하고 광검출기에 대한 평가를 진행하였다. 성능 평가의 지표로는 전류-전압 곡선, 광전류 비율, 응답도, 검출능을 사용하였다. 그래핀 옥사이드(GO)와 환원된 그래핀 옥사이드(rGO)를 혼합하여 제작한 광검출기 중 rGO:GO:탈이온수의 질량비 0.8:1:8의 광검출기를 280nm 파장 광원에서 성능 평가를 진행하였을 때, 광원 조사 시 최대 전류값 3.56×10⁻⁶ A, 광전류 비율 1.52×10², 응답도 1×10⁻⁴ A/W, 검출능 6.56×10⁸ Jones로 우수한 성적을 보였다. 또한, 각 검출기에 대한 투과율과 흡광도를 측정하여 광검출기로써 활용가능성을 평가하였다.
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    본 연구에서는 조사되는 광원의 세기가 증감함에 따라 전자-정공 쌍이 생성되고, 전자-정공 쌍의 움직임에 따라 발생하는 전류의 변화를 측정하여 광원의 세기를 검출 가능한 광검출기를 제...

    본 연구에서는 조사되는 광원의 세기가 증감함에 따라 전자-정공 쌍이 생성되고, 전자-정공 쌍의 움직임에 따라 발생하는 전류의 변화를 측정하여 광원의 세기를 검출 가능한 광검출기를 제작하였다. 활성 영역에 RF 스퍼터링을 사용하여 ITO를 증착하고, 생성된 ITO 박막 위에 그래핀 옥사이드(GO), 환원된 그래핀 옥사이드(rGO)를 도포한 단일 검출기와 GO와 rGO를 혼합한 검출기에 대하여 혼합비에 따른 특성을 평가하였다. 표면 분석을 통한 계면 균일도와 적층 구조를 분석하고 광검출기에 대한 평가를 진행하였다. 성능 평가의 지표로는 전류-전압 곡선, 광전류 비율, 응답도, 검출능을 사용하였다. 그래핀 옥사이드(GO)와 환원된 그래핀 옥사이드(rGO)를 혼합하여 제작한 광검출기 중 rGO:GO:탈이온수의 질량비 0.8:1:8의 광검출기를 280nm 파장 광원에서 성능 평가를 진행하였을 때, 광원 조사 시 최대 전류값 3.56×10⁻⁶ A, 광전류 비율 1.52×10², 응답도 1×10⁻⁴ A/W, 검출능 6.56×10⁸ Jones로 우수한 성적을 보였다. 또한, 각 검출기에 대한 투과율과 흡광도를 측정하여 광검출기로써 활용가능성을 평가하였다.

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    다국어 초록 (Multilingual Abstract) kakao i 다국어 번역

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    In this study, a photodetector capable of detecting the intensity of incident light was fabricated by measuring the variation in current generated through the movement of electron–hole pairs formed in response to changes in light intensity. Indium tin oxide (ITO) was deposited onto the active region using RF sputtering, and photodetectors were fabricated by coating the resulting ITO thin films with graphene oxide (GO), reduced graphene oxide (rGO), or a mixture of GO and rGO. The devices were evaluated based on the characteristics of different GO/rGO mixing ratios. Surface analysis was conducted to investigate the interfacial uniformity and layered structure, and performance was assessed using current–voltage (I–V) characteristics, photocurrent ratio, responsivity, and detectivity. Among the devices, the photodetector with an rGO:GO:DI water mass ratio of 0.8:1:8 demonstrated the best performance under 280 nm light irradiation, with a maximum photocurrent of 3.56×10⁻⁶ A, a photocurrent ratio of 1.52×10², a responsivity of 1×10⁻⁴ A/W, and a detectivity of 6.56×10⁸ Jones. Additionally, transmittance and absorbance measurements were conducted to evaluate the optical properties and potential applicability of the devices as photodetectors.
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    In this study, a photodetector capable of detecting the intensity of incident light was fabricated by measuring the variation in current generated through the movement of electron–hole pairs formed in response to changes in light intensity. Indium t...

    In this study, a photodetector capable of detecting the intensity of incident light was fabricated by measuring the variation in current generated through the movement of electron–hole pairs formed in response to changes in light intensity. Indium tin oxide (ITO) was deposited onto the active region using RF sputtering, and photodetectors were fabricated by coating the resulting ITO thin films with graphene oxide (GO), reduced graphene oxide (rGO), or a mixture of GO and rGO. The devices were evaluated based on the characteristics of different GO/rGO mixing ratios. Surface analysis was conducted to investigate the interfacial uniformity and layered structure, and performance was assessed using current–voltage (I–V) characteristics, photocurrent ratio, responsivity, and detectivity. Among the devices, the photodetector with an rGO:GO:DI water mass ratio of 0.8:1:8 demonstrated the best performance under 280 nm light irradiation, with a maximum photocurrent of 3.56×10⁻⁶ A, a photocurrent ratio of 1.52×10², a responsivity of 1×10⁻⁴ A/W, and a detectivity of 6.56×10⁸ Jones. Additionally, transmittance and absorbance measurements were conducted to evaluate the optical properties and potential applicability of the devices as photodetectors.

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